ម៉ូឌុល IGBT ពាក់កណ្តាលស្ពាន 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm

ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល 100A 1200V

1 ការពិពណ៌នា 

Insulated Gate Bipolar Transistor ទាំងនេះបានប្រើប្រាស់លេណដ្ឋានកម្រិតខ្ពស់ និងការរចនាបច្ចេកវិទ្យា Fieldstop ដែលផ្តល់នូវ VCEsat ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងល្បឿនប្តូរ ការគិតប្រាក់ទាប។ ដែលអនុលោមតាមស្តង់ដារ RoHS ។ 

2 លក្ខណៈពិសេស 

  ● បច្ចេកវិទ្យា FS Trench មេគុណសីតុណ្ហភាពវិជ្ជមាន 

  ● វ៉ុលតិត្ថិភាពទាប៖ VCE(sat), typ = 1.9V @ IC = 100A និង Tj = 25°C 

  ● សមត្ថភាពនៃការធ្លាក់ព្រិលខ្លាំង 

3 កម្មវិធី 

• ការផ្សារដែក 

• UPS 

• Inverter បីជាន់ 

• ឧបករណ៍ពង្រីកដ្រាយ AC និង DC servo

  
  

  
  

  
  

  ប្រភេទ	VCE	អ៊ីក	VCEsat, Tj = 25 ℃	Tjop	កញ្ចប់
  DGA100H120M2T	1200V	100A (Tj=100 ℃)	1.9V (ប្រភេទ)	175 ℃	៣៤ ម។