未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » IGBT -modul » Hål » 100A 1200V HALF BRIDGE IGBT -modul DGA100H120M2T 34mm

belastning

Dela till:
Facebook -delningsknapp
Twitter -delningsknapp
linjedelningsknapp
WeChat Sharing -knapp
LinkedIn Sharing -knapp
Pinterest Sharing -knapp
whatsapp delningsknapp
Sharethis Sharing -knapp

100A 1200V HALF BRIDGE IGBT -modul DGA100H120M2T 34mm

Dessa isolerade grindbipolära transistor använde avancerad diket och fältstoppteknikdesign, gav utmärkt vcesat och omkopplingshastighet, låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
 
Tillgänglighet:
Kvantitet:
Fråga Lägg till i korgen

  • DGA100H120M2T

  • Wxdh

  • 34 mm

  • DGA100H120M2T.PDF

  • 1200V

  • 100a

100A 1200V Half Bridge -modulen


1 Beskrivning 

Dessa isolerade grindbipolära transistor använde avancerad diket och fältstoppteknikdesign, gav utmärkt vcesat och omkopplingshastighet, låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

  ● FS Trench -teknik, positiv temperaturkoefficient 

  ● Låg mättnadsspänning: VCE (SAT), typ = 1,9V @ IC = 100A och TJ = 25 ° C 

  ● Extremt förbättrad lavinförmåga 


3 applikationer 

  • Svetsning 

  • Ups 

  • Three-Leve Inverter 

  • AC och DC Servo Drive -förstärkare




    Typ Vce Ic VCESAT, TJ = 25 ℃ Prick Paket
    DGA100H120M2T 1200V 100a (TJ = 100 ℃) 1.9V (typ) 175 ℃ 34 mm
Tidigare: 
Nästa: 
100A 1200V HALF BRIDGE IGBT -modul
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com