gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » IGBT-MODUL » PIM » 100A 1200V Halvbrygga IGBT-modul DGA100H120M2T 34mm

belastning

Dela till:
Facebook delningsknapp
twitter delningsknapp
linjedelningsknapp
wechat delningsknapp
linkedin delningsknapp
pinterest delningsknapp
whatsapp delningsknapp
dela den här delningsknappen

100A 1200V Halvbrygga IGBT-modul DGA100H120M2T 34mm

Dessa bipolära transistorer med isolerad grind använde avancerad dike- och Fieldstop-teknikdesign, gav utmärkt VCEsat och växlingshastighet, låg grindladdning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden.
 
Tillgänglighet:
Kvantitet:
  • DGA100H120M2T

  • WXDH

  • 34 mm

  • DGA100H120M2T.pdf

  • 1200V

  • 100A

100A 1200V Halvbrygga modul


1 Beskrivning 

Dessa bipolära transistorer med isolerad grind använde avancerad dike- och Fieldstop-teknikdesign, gav utmärkt VCEsat och växlingshastighet, låg grindladdning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. 


2 funktioner 

  ● FS Trench Technology, positiv temperaturkoefficient 

  ● Låg mättnadsspänning: VCE(sat), typ = 1,9V @ IC =100A och Tj = 25°C 

  ● Extremt förbättrad lavinkapacitet 


3 Applikationer 

  • Svetsning 

  • UPS 

  • Tre-nivå växelriktare 

  • AC och DC servodrivna förstärkare




    Typ VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Paket
    DGA100H120M2T 1200V 100A (Tj=100℃) 1,9V (typ) 175 ℃ 34 MM
Tidigare: 
Nästa: 
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg