未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nahajate se tukaj: domov » Izdelki » IGBT MODUL » PIM » 100A 1200V polmostni IGBT modul DGA100H120M2T 34mm

nalaganje

Skupna raba z:
facebook gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na Twitterju
gumb za skupno rabo linije
gumb za skupno rabo v wechatu
Linkedin gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na pinterestu
gumb za skupno rabo WhatsApp
deli ta gumb za skupno rabo

100A 1200V Polmostni IGBT modul DGA100H120M2T 34mm

Ti bipolarni tranzistorji z izoliranimi vrati so uporabljali napredno zasnovo tehnologije Trench in Fieldstop, zagotavljajo odličen VCEsat in hitrost preklapljanja ter nizko napolnjenost vrat. Kar je v skladu s standardom RoHS.
 
Razpoložljivost:
Količina:
Povprašajte Dodaj v košarico

  • DGA100H120M2T

  • WXDH

  • 34 mm

  • DGA100H120M2T.pdf

  • 1200V

  • 100A

100A 1200V Polmostni modul


1 Opis 

Ti bipolarni tranzistorji z izoliranimi vrati so uporabljali napredno zasnovo tehnologije Trench in Fieldstop, zagotavljajo odličen VCEsat in hitrost preklapljanja ter nizko napolnjenost vrat. Kar je v skladu s standardom RoHS. 


2 Lastnosti 

  ● FS Trench Technology, pozitivni temperaturni koeficient 

  ● Nizka nasičena napetost: VCE (sat), typ = 1,9 V @ IC = 100 A in Tj = 25 °C 

  ● Izjemno izboljšana zmogljivost za plaz 


3 Aplikacije 

  • Varjenje 

  • UPS 

  • Tristopenjski inverter 

  • AC in DC servo ojačevalnik




    Vrsta VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Paket
    DGA100H120M2T 1200V 100A (Tj=100℃) 1,9 V (običajno) 175 ℃ 34MM
Prejšnja: 
Naprej: 
100A 1200V Polmostni IGBT modul
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se na naše glasilo
  • pripravite se na prihodnost,
    prijavite se na naše glasilo, da boste prejemali posodobitve neposredno v svoj nabiralnik
    Predloži
Copyright © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com