Mô-đun IGBT nửa cầu 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm

Mô-đun nửa cầu 100A 1200V

1 Mô tả 

Các Transistor lưỡng cực có cổng cách điện này sử dụng thiết kế công nghệ rãnh và Fieldstop tiên tiến, cung cấp VCEsat và tốc độ chuyển mạch tuyệt vời, điện tích cổng thấp. Phù hợp với tiêu chuẩn RoHS. 

2 tính năng 

  ● Công nghệ FS Trench, Hệ số nhiệt độ dương 

  ● Điện áp bão hòa thấp: VCE(sat), typ = 1.9V @ IC =100A và Tj = 25°C 

  ● Khả năng tuyết lở được nâng cao cực kỳ 

3 ứng dụng 

• hàn 

• UPS 

• Biến tần ba cấp 

• Bộ khuếch đại truyền động servo AC và DC

  
  

  
  

  
  

  Kiểu	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25oC	Tjop	Bưu kiện
  DGA100H120M2T	1200V	100A (Tj=100oC)	1.9V (Loại)	175oC	34mm