13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1

13A 500V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus

Nämä silikoni-N-kanavaiset parannetut vdmosfetit on saatu itsekohdistetun tasotekniikan avulla, joka vähentää

johtavuushäviö, parantaa kytkentätehoa ja parantaa lumivyöryenergiaa. Joka on RoHS-standardin mukainen.

2 Ominaisuudet

● Nopea vaihto

● Pieni resistanssi (Rdson≤0,5Ω)

● Matala portin lataus (Tyyppi: 40nC)

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit (Tyyppi: 11pF)

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi

3 Sovellukset

● Käytetään erilaisissa tehonkytkentäpiireissä järjestelmän pienentämiseksi ja tehokkuuden parantamiseksi.

● Sovittimen ja laturin virtakytkin.

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
500V	0,36Ω	13A