13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1

13A 500V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu silikon N-kanallı geliştirilmiş vdmosfet'ler, kendi kendine hizalanan düzlemsel teknolojiyle elde edilir ve bu teknoloji,

İletim kaybı, anahtarlama performansını artırır ve çığ enerjisini artırır. RoHS standardına uygundur.

2 Özellikler

● Hızlı geçiş

● Düşük direnç (Rdson≤0,5Ω)

● Düşük geçit şarjı (Tip: 40nC)

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 11pF)

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama

● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.

● Adaptörün ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
500V	0,36Ω	13A