kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Itt vagy: Otthon » Termékek » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 13n50AH1/F13N50AH1/I13N50AH1/E13N50AH1

terhelés

Ossza meg:
Facebook megosztási gomb
Twitter megosztási gomb
vonalmegosztó gomb
WeChat megosztási gomb
LinkedIn megosztási gomb
Pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztás gomb
Sharethis megosztási gomb

13N50AH1/F13N50AH1/I13N50AH1/E13N50AH1

13A 500V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
elérhetőség:
Mennyiség:

13a 500V N-csatornás javítási mód Power MOSFET

1 Leírás

Ezeket a Szilícium-N-csatornát továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a

Vezetési veszteség, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az Avalanche energiáját. Amely összhangban áll a ROHS szabványgal.

2 Jellemzők

● Gyors váltás

● Alacsony az ellenállás (rdson≤0,5Ω)

● Alacsony kapu töltés (TIP: 40NC)

● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 11PF)

● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt

● 100% ΔVDS teszt

3 alkalmazás

● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.

● Az adapter és a töltő teljesítménykapcsoló áramköre.


VDSS Rds (be) (typ) Személyazonosság
500 V -os 0,36Ω 13A


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • Készüljön fel a jövőre,
    regisztráljon hírlevelünkre, hogy egyenesen frissítéseket kapjon a postaládájába