brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 13n50AH1/F13N50AH1/I13N50AH1/E13N50AH1

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

13N50AH1/F13N50AH1/I13N50AH1/E13N50AH1

13A 500V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
dostupnosť:
Množstvo:

13A 500V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET

1 popis

Tieto kremíkové n-kanálové vylepšené VDMOSFETS sa získava sami vyrovnanou planárnou technológiou, ktorá znižuje

Strata vedenia, zlepšenie výkonu prepínania a zvýšenie energie lavíny. Čo je v súlade so štandardom ROHS.

2 funkcie

● Rýchle prepínanie

● Nízky odpor (rdson <0,5Ω)

● Nízka brána (Typ: 40nc)

● Kapacity s nízkym reverzným prenosom (typ: 11pf)

● 100% Energia Energy Energy Energy Test

● Test 100% ΔVDS

3 aplikácie

● Používa sa v rôznych obvodoch prepínania energie na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.

● Obvod adaptéra a nabíjačky napájania.


VDSS RDS (on) (typ) Id
500 V 0,36Ω 13a


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty