13N50AH1/F13N50AH1/I13N50AH1/E13N50AH1

13A 500V N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET

1 Beskrywing

Hierdie silikon-N-kanaalverbeterde VDMOSFET's word verkry deur die selfbelynde vlak tegnologie wat die vermindering van die

geleidingsverlies, verbeter die skakelprestasie en verbeter die lawine -energie. Wat ooreenstem met die ROHS -standaard.

2 funksies

● Vinnige oorskakeling

● Lae weerstand (Rdson≤0,5Ω)

● Lae heklading (tik: 40nc)

● Lae omgekeerde oordragkapasitansies (tik: 11pf)

● 100% enkelpuls Avalanche energietoets

● 100% Δvds -toets

3 Aansoeke

● Word in verskillende kragskakelingskringkring gebruik vir die miniatuur van die stelsel en hoër doeltreffendheid.

● Kragskakelaarstroombaan van adapter en laaier.