värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 13n50ah1/f13n50ah1/i13n50ah1/e13n50ah1

laadimine

Jagage:
Facebooki jagamisnupp
Twitteri jagamise nupp
Line jagamise nupp
WeChati jagamisnupp
LinkedIni jagamisnupp
Pinteresti jagamisnupp
WhatsApi jagamisnupp
ShareThise jagamisnupp

13n50ah1/f13n50ah1/i13n50ah1/e13n50ah1

13A 500 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET
saadavus:
kogus:

13A 500V N-kanali parendamise režiimi toitemootoriga MOSFET

1 kirjeldus

Need räni N-kanaliga täiustatud VDMOSFETS saadakse ise joondatud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab

juhtivuse kaotus, parandage vahetamise jõudlust ja parandab laviini energiat. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga.

2 funktsiooni

● Kiire vahetamine

● Madal takistus (RDSON≤0,5Ω)

● Madal väravalaeng (tüüp: 40nc)

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus (tüüp: 11pf)

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti

● 100% ΔVDS -test

3 rakendust

● Süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema efektiivsuse jaoks kasutatud erinevates energialülitusahelates.

● Adapteri ja laadija toitelüliti vooluring.


VDSS RDS (ON) (tüüp) Isikutunnistus
500 V 0,36Ω 13a


Eelmine: 
Järgmine: 
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti