13N50AH1/F13N50AH1/I13N50AH1/E13N50AH1

13A 500V N-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet

1 Beskrivelse

Disse silicium-N-kanals forbedrede VDMOSFET'er opnås af den selvjusterede plane teknologi, der reducerer

Ledningstab, forbedrer skiftens ydeevne og forbedrer lavineenergien. Der stemmer overens med ROHS -standarden.

2 funktioner

● Hurtig skift

● Low On Resistance (Rdson≤0,5Ω)

● Lav gateopladning (TYP: 40NC)

● Lav omvendt overførselskapacitanser (TYP: 11PF)

● 100% enkelt puls -lavine energitest

● 100% ΔVDS -test

3 applikationer

● Brugt i forskellige strømafbryderkredsløb til systeminiaturisering og højere effektivitet.

● Strækkontaktkredsløb af adapter og oplader.