未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
2N65/F2N65/B2N65/D2N65
20N60/F20N60/20N60D
20A 500V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500V 20A Laite 20N50 Specification(1).pdf
12N60/F12N60/E12N60
18A 650V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf
155A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 -220C 40V 155A Laite DH035N04 Specification.pdf
POSITIIVINEN JÄNNESÄÄTIMET 78L12 SOT-23 78L12 SOT-23 12V 2mA 英文版78LXX技术规格书（78L系列）.pdf
40mΩ 650V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 TO-247-4L 650V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavainen Super Junction Power MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 TO-252B 650V 7A Laitteen DHDSJ7N65&DHBSJ7N65 Specification.doc.pdf
10A 650V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf
80A 300V nopea palautusdiodi MUR80G30NCT TO-3PN MUR80G30NCT TO-3PN 300V 80A 英文版 MUR80G30NCT技术规格书REV.1.0.pdf
120A 98V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Laite DHS046N10 Specification.pdf
500V/4A puolisilta IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
20A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Laitteen DCCT20D65G4 Specification.pdf
20A 200V LOW VF SchottkyBarrierDiodi MBR20R200CT TO-220C MBR20R200CT -220C 200V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
80A 40V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Laite DH065N04 Specification.pdf
110A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60V 110A Donghai_DH065N06D_Datasheet_V2.0.pdf
20A 60V SchottkyBarrierDiode MBRF2060CT TO-220F MBRF2060CT TO-220F 60V 20A 英文版MBRF2060CT技术规格书.pdf
20A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100V 20A Donghai_DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf
100A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS065N10 -220C 100V 95A Laite+DHS065N10+Specification+Rev.2.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com