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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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2N65/F2N65/B2N65/D2N65
20N60/F20N60/20N60D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 20 A 500 V 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500 V 20A Specifiche del dispositivo 20N50(1).pdf
12N60/F12N60/E12N60
MOSFET di potenza F18N65 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 18 A 650 V F18N65 TO-220F 650 V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 155 A 40 V DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Dispositivo DH035N04 Specifiche.pdf
REGOLATORI DI TENSIONE POSITIVI 78L12 SOT-23 78L12 SOT-23 12V 2 mA 英文版78LXX技术规格书（78L系列）.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 mΩ 650 V DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 TO-247-4L 650 V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 TO-252B 650 V 7A Dispositivo DHDSJ7N65&DHBSJ7N65 Specifiche.doc.pdf
MOSFET di potenza F10N65 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 650 V F10N65 TO-220F 650 V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 80A 300V MUR80G30NCT TO-3PN MUR80G30NCT TO-3PN 300 V 80A 英文版 MUR80G30NCT技术规格书REV.1.0.pdf
MOSFET di potenza DHS046N10D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 120 A 98 V DHS046N10D TO-252B 98 V 120A Specifiche del dispositivo DHS046N10.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/4 A DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCCT20D65G4.pdf
Diodo barriera Schottky BASSO VF 20A 200 V MBR20R200CT TO-220C MBR20R200CT TO-220C 200 V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 40 V DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40 V 80A Dispositivo DH065N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 110 A 60 V DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60 V 110A Donghai_DH065N06D_Datasheet_V2.0.pdf
Diodo barriera Schottky 20A 60V MBRF2060CT TO-220F MBRF2060CT TO-220F 60 V 20A 英文版MBRF2060CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS400N10D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 20 A 100 V DHS400N10D TO-252B 100 V 20A Donghai_DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 100 V DHS065N10 TO-220C 100 V 95A Dispositivo+DHS065N10+Specifica+Rev.2.0.pdf

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