未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti
Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

Tutti i prodotti

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
12N60/F12N60/E12N60
MOSFET di potenza DHS025N88 TO-263 in modalità potenziamento canale N da 205 A 85 V DHS025N88E TO-263 85 V 205A Specifiche del dispositivo DHS025N88.pdf
Diodo a recupero rapido 10A 700V MURF1070 TO-220F-2L MURF1070 TO-220F 700 V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
MOSFET di potenza D2N65 TO-252B in modalità potenziata a canale N da 2 A 650 V D2N65 TO-252B 650 V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 30A 60V BASSO VF MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS TO-220C 60 V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
Transistor bipolare con cancello isolato Trenchstop 50A 650V G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW TO-247 650 V 50A G50T65LBBW__scheda dati(1)(1).pdf
MOSFET di potenza B1N60 TO-251 in modalità potenziamento canale N da 0,8 A 600 V B1N60 TO-251B 600 V 0,8 A
MOSFET di potenza SIC a canale N da 36 A 1200 V DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200 V 36A Specifiche del dispositivo DCC080M120A.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 170A 40V DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40 V 170A Specifiche del dispositivo DHS020N04P Rev.2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 85 V DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85 V 100A Specifiche del dispositivo DH85N08.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 75A 1200V DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200 V 75A DGC75F120M2__datasheet-V1.2.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 60 V D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12A Specifiche del dispositivo D12N06 (TO-252B).pdf
Pacchetto TOLL DHS020N88U MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 240 A 85 V DHS020N88U PEDAGGIO 85 V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza DHS035N88 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 175 A 80 V DHS035N88 TO-220C 80 V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza AOD413 TO-252B in modalità potenziamento canale P da 15 A 40 V AOD413 TO-252B -40 V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 49 A 80 V DH116N08D TO-252B 80 V 49A Dispositivo DH116N08 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza F4N70 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 4 A 700 V F4N70 TO-220F 700 V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 7 A 600 V F7N60 F7N60 TO-220F 600 V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F7N80 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 7 A 800 V F7N80 TO-220F 800 V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F4N65 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 4 A 650 V F4N65 TO-220F 650 V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf

Video del prodotto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com