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Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
MOSFET di potenza F4N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 4 A 600 V F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 12 A 700 V DJF360N70
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 68 V DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
Diodo a recupero rapido 60A 200V MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200 V 60A Il modello MUR6020BCA è Rev. 1.1.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 90 A 40 V DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Dispositivo DH045N04 Specifiche.pdf
Modulo IGBT mezzo ponte 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34 mm 1700 V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 90 A 40 V DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Dispositivo DH045N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 60 V DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Dispositivo+DATD063N06N+Specifica Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 4,8 A 650 V DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
CI regolatore di tensione a tre terminali L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 1200V DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200 V 20A Specifiche del dispositivo DCC20D120G4.pdf
MOSFET N 120 V/12 mΩ/70 A DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120 V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 75A 650V DGC75F65M TO-247-3L DGC75F65M TO-247-3L 650 V 75A DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf
135 V/3,3 mΩ/225 A N-MOSFET DSU035N14N3 Pacchetto pedaggio DSU035N14N3 PEDAGGIO 135 V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
Diodo a recupero rapido 40A 200V MUR4020NCT TO-3PN MUR4020NCT TO-3PN 200 V 40A Il modello MUR4020NCT-XCB è Rev. 1.0.pdf
Transistor bipolare con gate isolato 25A 1200V G25T120D TO-247 G25T120D TO-247 1200 V 25A DHG25T120D英文技术规格书（TO-247).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 650 V 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
IC regolatore di tensione a tre terminali L7818 TO-220M L7818 TO-220M 18 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650 V 10A Specifiche del dispositivo DCE10D65G4.pdf

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