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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 12 A 100 V B12N10/D12N10
MUR80FU40NCA TO-3PN MUR80FU40NCA
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 200 A 40 V D1404/FD1404/ED1404
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 90 A 40 V DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Dispositivo DH045N04 Specifiche.pdf
40 V/4,0 mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40 V 66A DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
PACCHETTO N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 da 40 V/0,85 mΩ/200 A DSE012N04NA TO-263 40 V 200A DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V MUR6030BCA TO-247S MUR6030BCA TO-247S 300 V 60A 英文版 MUR6030BCA 技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 59 A 100 V 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59Aorniscono una migliore efficienza con differenze di tensione inferiori. Comprendere le caratteristiche chiave, i principi di funzionamento e le applicazioni dei regolatori di tensione a 3 terminali aiuta a selezionare il regolatore giusto per esigenze specifiche, sia che si dia priorità alla stabilità, all'efficienza o alla flessibilità nella regolazione della tensione. Specifiche del dispositivo 60N10B76(1).pdf
PACCHETTO PEDAGGIO MOSFET di potenza DHS044N12U in modalità potenziamento canale N da 270 A 120 V DHS044N12U PEDAGGIO 120 V 270A DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 60 V DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Dispositivo+DATD063N06N+Specifica Rev.1.0.pdf
 DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100 V 103A DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET N 100 V/2,2 mΩ/180 A DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100 V 180A DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Modulo mezzo ponte 800A 1200V Modulo IGBT DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62MM 1200 V 800A DGB800H120L2T.pdf
40 V/5,5 mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40 V 82A DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DHD7N65 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 7 A 650 V DHD7N65 TO-252B 650 V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
DSG014N04N TO-220CPacchetto DSG014N04N TO-220C 40 V 200A DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100 V 40A 英文版MBRF40100CT技术规格书REV1.0(1).pdf
 DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100 V 100A DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
Pacchetto DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40 V 180A DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
 Diodo barriera Schottky SiC 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650 V 10A Specifiche del dispositivo DCE10D65G4.pdf

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