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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 220 A 40 V DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40 V 220A Dispositivo DTE025N04NA&DTG025N04NA Specifiche Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 170 A 30 V DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
Modalità potenziamento canale P MOSFET di potenza 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60 V 12A Specifiche del dispositivo DH500P06R Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza DHS025N88 TO-263 in modalità potenziamento canale N da 205 A 85 V DHS025N88E TO-263 85 V 205A Specifiche del dispositivo DHS025N88.pdf
4N60/F4N60/B4N60/D4N60
23N50D
MOSFET di potenza D2N65 TO-252B in modalità potenziata a canale N da 2 A 650 V D2N65 TO-252B 650 V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 30A 60V BASSO VF MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS TO-220C 60 V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
Transistor bipolare con cancello isolato Trenchstop 50A 650V G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW TO-247 650 V 50A G50T65LBBW__scheda dati(1)(1).pdf
F20N50/20N50B
MOSFET di potenza SIC a canale N da 36 A 1200 V DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200 V 36A Specifiche del dispositivo DCC080M120A.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 170A 40V DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40 V 170A Specifiche del dispositivo DHS020N04P Rev.2.0.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 75A 1200V DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200 V 75A DGC75F120M2__datasheet-V1.2.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 60 V D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12A Specifiche del dispositivo D12N06 (TO-252B).pdf
Pacchetto TOLL DHS020N88U MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 240 A 85 V DHS020N88U PEDAGGIO 85 V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza DHS035N88 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 175 A 80 V DHS035N88 TO-220C 80 V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza AOD413 TO-252B in modalità potenziamento canale P da 15 A 40 V AOD413 TO-252B -40 V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza F4N70 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 4 A 700 V F4N70 TO-220F 700 V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 7 A 600 V F7N60 F7N60 TO-220F 600 V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
8N65/F8N65

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