brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET B12N10/D12N10
MUR80FU40NCA TO-3PN MUR80FU40NCA
200A 40V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET D1404/FD1404/ED1404
90A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Zariadenie DH045N04 Špecifikácia.pdf
40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40 V 66A DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
40V/0,85mΩ/200A BALENIE N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 DSE012N04NA TO-263 40 V 200A DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
60A 300V Dióda rýchlej obnovy MUR6030BCA TO-247S MUR6030BCA TO-247S 300 V 60A 英文版 MUR6030BCA 技术规格书REV1.1.pdf
59A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59A Špecifikácia zariadenia 60N10B76(1).pdf
270A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS044N12U MÝTANÝ BALÍK DHS044N12U TOLL 120V 270A DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
80A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Zariadenie+DATD063N06N+Špecifikácia Rev.1.0.pdf
 DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100 V 103A DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100 V 180A DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
800A 1200V modul polovičného mostíka IGBTMmodul DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62 mm 1200V 800A DGB800H120L2T.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40 V 82A DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
7A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650 V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
DSG014N04N TO-220CPobal DSG014N04N TO-220C 40 V 200A DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100 V 40A 英文版MBRF40100CT技术规格书REV1.0(1).pdf
 DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100 V 100A DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
Balenie DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40 V 180A DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
 SiC Schottkyho bariérová dióda 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650 V 10A Špecifikácia zariadenia DCE10D65G4.pdf

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty