Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sie sind hier: Heim » Produkte
Modell:
Paket:
V:
A:
AUSGEWÄHLTE PRODUKTLINIEN:

Alle Produkte

Bild Modell Paket V A Datenblatt Details Anfrage In den Warenkorb legen
12N60/F12N60/E12N60
205 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Gerätespezifikation DHS025N88.pdf
10A 700V Fast-Recovery-Diode MRF1070 TO-220F-2L MURF1070 TO-220F 700V 10A 英文版MUR1070术规格书.pdf
2A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650V 2A Download des Dokuments D2N65.pdf
30A 60V LOW VF SchottkyBarrierDiode MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS TO-220C 60V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
50 A 650 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW TO-247 650V 50A G50T65LBBW__datasheet(1)(1).pdf
0,8 A 600 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8A
36 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200V 36A Gerätespezifikation DCC080M120A.pdf
170 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Gerätespezifikation DHS020N04P Rev.2.0.pdf
100 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85V 100A Gerätespezifikation DH85N08.pdf
75A 1200V Trenchstop Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200V 75A DGC75F120M2__datasheet-V1.2.pdf
12A 60V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12A Geräte-D12N06-Spezifikation (TO-252B).pdf
240 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS020N88U TOLL-Gehäuse DHS020N88U MAUT 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
175 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
15 A 40 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
49 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH116N08D TO-252B 80V 49A Gerätespezifikation DH116N08.pdf
4A 700V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700V 4A 英文版F4N70术规格书(1).pdf
7A 600V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600V 7A 英文版F7N60术规格书.pdf
7A 800V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
4A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650V 4A 英文版F4N65术规格书MAXREV1.0.pdf

Produktvideo

  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
    Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten