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4,8a 650 V N-Kanal Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F

Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwenden fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Entechnik, um einen hervorragenden RDSON mit niedriger Gate-Ladung zu bieten. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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4,8a 650 V N-Kanal Super Junction Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwenden fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Entechnik, um einen hervorragenden RDSON mit niedriger Gate-Ladung zu bieten. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● STWANTEDED MODE NETZUNGEN (SMPS). 

● TV -Power & LED -Beleuchtungskraft 

● Wechselstrom zu DC -Konvertern 

● Telekommunikation


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
650 V 0,87 mΩ 4.8a


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