4,8 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F

4,8 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Design, um exzellenten Rdson mit niedriger Gate-Ladung bereitzustellen. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Schaltnetzteile (SMPS). 

● TV-Stromversorgung und LED-Beleuchtungsleistung 

● AC/DC-Wandler 

● Telekommunikation

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
650V	0,87 mΩ	4,8A