MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 4.8A 650V DHFSJ5N65 TO-220F

MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 4,8 A y 650 V

1 Descripción 

Estos VDMOSFET mejorados de canal N utilizan tecnología y diseño de superunión avanzados para proporcionar un Rdson excelente con carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). 

● Alimentación de TV y alimentación de iluminación LED 

● Convertidores de CA a CC 

● Telecomunicaciones

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
650V	0,87 mΩ	4.8A