MOSFET de puissance à super jonction canal N, 4,8 a, 650V, DHFSJ5N65 TO-220F

MOSFET de puissance à super jonction canal N 4,8 A 650 V

1 Descriptif 

Ces VDMOSFET améliorés à canal N utilisent une technologie et une conception avancées de superjonction pour fournir un excellent Rdson avec une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques 

● Commutation rapide 

● Faible résistance 

● Faible charge de porte 

● Faibles capacités de transfert inverse

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 

3 candidatures 

● Alimentations à découpage (SMPS). 

● Alimentation du téléviseur et alimentation de l'éclairage LED 

● Convertisseurs AC vers DC 

● Télécom

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
650V	0,87 mΩ	4,8A