4,8A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F

4.8A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET

1 Leírás 

Ezek az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-ek fejlett szuper junction technológiát és kialakítást használnak, hogy kiváló Rdson-t biztosítsanak alacsony kaputöltés mellett. Ami megfelel a RoHS szabványnak. 

2 Jellemzők 

● Gyors váltás 

● Alacsony ellenállás 

● Alacsony kaputöltés 

● Alacsony fordított átviteli kapacitás

● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt 

● 100% ΔVDS teszt 

3 Alkalmazások 

● Kapcsolt üzemmódú tápegységek (SMPS). 

● TV tápellátás és LED világítás teljesítménye 

● AC-DC átalakítók 

● Telecom

VDSS	RDS(be)(TYP)	ID
650V	0,87 mΩ	4.8A