12 A 700 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET

12 A 700 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Die N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Design, um hervorragende Rds(on) bei niedriger Gate-Ladung zu bieten. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC). 

● Schaltnetzteil (SMPS). 

● Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV). 

● TV-Stromversorgung und LED-Beleuchtungsleistung. 

● AC-DC-Wandler. 

● Telekommunikation

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
700V	0,32 mΩ	12A