MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 12 A y 700 V

MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 12 A y 700 V

1 Descripción 

Los vdmosfets mejorados de canal N utilizan tecnología y diseño avanzados de súper unión para proporcionar Rds(on) excelentes con carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Corrección del factor de potencia (PFC). 

● Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS). 

● Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS). 

● Alimentación de TV y alimentación de iluminación LED. 

● Convertidores de CA a CC. 

● Telecomunicaciones

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
700V	0,32 mΩ	12A