40A, 200 V Ultrafast-Dioden Sie haben einen niedrigen Vorwärtsspannungsabfall und sind aus planarem, siliconnitrid-passiviertem, ionenimplantiertem epitaxialen Konstruktion.
Beschreibung 40A, 200 V Ultrafasten Dioden Sie haben einen niedrigen Vorwärtsspannungsabfall und sind aus planarem, siliconischen Nitrid-Passivierungen, ionenimplantierter epitaxieller Konstruktion. Diese Geräte sind für die Verwendung als Energiereuer-/Klemmdioden und Rektifikationen in einer Vielzahl von Schaltnetzvorräten und anderen Stromschaltanwendungen gedacht. Ihre niedrig gespeicherte Ladung und die ultraschnelle Wiederherstellung mit Weichwiederherstellungseigenschaften minimieren das Klingeln und elektrische Rauschen in vielen Stromschaltkreisen, wodurch der Stromverlust im Switching -Transistor verringert wird
2 Merkmale
Niedriger Stromverlust,
hohe Effizienz niedrige Vorwärtsspannung,
hohe Stromfähigkeit hoher Überspannungskapazität
Super schnelle Erholungszeiten
Hochspannung
3 Anwendungen
Stromversorgung wechseln
Stromschaltungsschaltungen
Wechselrichternetzteil
Vbr
VF (Single) (max)
If (av) (Single)
200V
1.1V
20a
40A 200 V schnelle Wiederherstellungsdiode
1 Beschreibung
Beschreibung 40A, 200 V Ultrafasten Dioden Sie haben einen niedrigen Vorwärtsspannungsabfall und sind aus planarem, siliconischen Nitrid-Passivierungen, ionenimplantierter epitaxieller Konstruktion. Diese Geräte sind für die Verwendung als Energiereuer-/Klemmdioden und Rektifikationen in einer Vielzahl von Schaltnetzvorräten und anderen Stromschaltanwendungen gedacht. Ihre niedrig gespeicherte Ladung und ultraschnelle Wiederherstellung mit Weichwiederherstellungseigenschaften minimiert das Klingeln und das elektrische Rauschen in vielen Stromschaltkreisen, wodurch der Leistungsverlust beim Schalttransistor verringert wird
