Beskrivelse 40A, 200V ultrahastiske dioder De har et lavt fremadrettet spændingsfald og er af plan, siliciumnitrid-passiveret, ionimplanteret, epitaksial konstruktion. Disse enheder er beregnet til brug som energestyring/klemme dioder og rettere i en række forskellige switching -strømforsyninger og andre strømafbrydere applikationer. Deres lave lagrede ladning og ultrahastiske gendannelse med bløde genvindingskarakteristika minimerer ringning og elektrisk støj i mange strømafbryderkredsløb, hvilket reducerer effekttab i skifttransistoren
2 funktioner
Lavt effekttab,
høj effektivitet lav fremadspænding,
Høj strømkapacitet Høj overspændingskapacitet
Super hurtig gendannelsestider
Højspænding
3 applikationer
Skift strømforsyning
Strømafbryderkredsløb
Inverter strømforsyning
VBR
Vf (single) (max)
Hvis (av) (single)
200v
1.1V
20a
40A 200V hurtig gendannelsesdiode
1 Beskrivelse
Beskrivelse 40A, 200V ultrahastiske dioder De har et lavt fremadrettet spændingsfald og er af plan, siliciumnitrid-passiveret, ionimplanteret, epitaksial konstruktion. Disse enheder er beregnet til brug som energestyring/klemme dioder og rettere i en række forskellige switching -strømforsyninger og andre strømafbrydere applikationer. Deres lave lagrede ladning og ultrahastiske gendannelse med bløde genvindingskarakteristika minimerer ringning og elektrisk støj i mange strømafbryderkredsløb, hvilket reducerer effekttab i skifttransistoren
