Beskrivning 40A, 200V Ultrafast dioder De har en låg spänningsfall och är av plana, kiselnitrid passiverade, jon-implanterade, epitaxial konstruktion. Dessa enheter är avsedda att användas som energistyrning/klämdioder och rektifiers i en mängd olika omkoppling av strömförsörjning och andra strömbrytande applikationer. Deras låga lagrade laddning och ultrasnabb återhämtning med mjuka återhämtningsegenskaper minimerar ringning och elektriskt brus i många kraftomkopplingskretsar, vilket minskar effektförlusten i växlingstransistorn
2 funktioner
Låg effektförlust,
hög effektivitet låg spänningsspänning,
hög ström kapacitet hög överspänningskapacitet
Super snabba återhämtningstider
högspänning
3 applikationer
Byte av strömförsörjning
Kraftomkopplingskretsar
Inverterare strömförsörjning
Vbr
VF (singel) (max)
If (AV) (singel)
200V
1.1V
20a
40A 200V Fast Recovery Diode
1 Beskrivning
Beskrivning 40A, 200V Ultrafast dioder De har en låg spänningsfall och är av plana, kiselnitrid passiverade, jon-implanterade, epitaxial konstruktion. Dessa enheter är avsedda att användas som energistyrning/klämdioder och rektifiers i en mängd olika omkoppling av strömförsörjning och andra strömbrytande applikationer. Deras låga lagrade laddning och ultrasnabb återhämtning med mjuka återhämtningsegenskaper minimerar ringning och elektriskt brus i många kraftomkopplingskretsar, vilket minskar effektförlusten i växlingstransistorn
