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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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40A 200V Diodo de recuperação rápida MUR4020NCT TO-3PN

40A, diodos ultra-rápidos de 200V Eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada por íons, implantada por íons.
Disponibilidade:
Quantidade:

40A 200V Diodo de recuperação rápida


1 Descrição

Descrição 40A, diodos ultra-rápidos de 200V Eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada em íons, implantada por íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação 


2 recursos 

  •  Baixa perda de energia, 

  •  tensão de alta eficiência de baixa eficiência, 

  •  alta capacidade de alta capacidade de alta capacidade 

  •  Tempos de recuperação super rápidos 

  •  alta tensão


3 aplicações

  •  Fonte de alimentação de comutação 

  •  Circuitos de comutação de energia

  •  Fonte de alimentação do inversor


Vbr VF (único) (max) Se (av) (único)
200V 1.1V 20a



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