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MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 12 A y 100 V B12N10/D12N10
MUR80FU40NCA TO-3PN MUR80FU40NCA
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 200 A y 40 V D1404/FD1404/ED1404
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 90A 40V DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40V 90A Especificación del dispositivo DH045N04.pdf
40V/4.0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40V 66A DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
PAQUETE N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 de 40 V/0,85 mΩ/200 A DSE012N04NA A-263 40V 200A DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 300V MUR6030BCA TO-247S MUR6030BCA TO-247S 300V 60A 英文版 MUR6030BCA 技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET de potencia 60N10 TO-220C del modo de mejora del canal N de 59A 100V 60N10 TO-220C 100V 59A Especificación del dispositivo 60N10B76 (1).pdf
PAQUETE DE PEAJE MOSFET DHS044N12U de potencia de modo de mejora de canal N de 270A y 120 V DHS044N12U PEAJE 120V 270A DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET DATD063N06N TO-252B del poder del modo del aumento del canal N de 80A 60V DATD063N06N TO-252B 60V 80A Dispositivo+DATD063N06N+Especificación Rev.1.0.pdf
DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A A-263 100V 103A DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
100V/2.2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A A-263 100V 180A DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Módulo de medio puente 800A 1200V IGBTMódulo DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62MM 1200V 800A DGB800H120L2T.pdf
40V/5.5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82A DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 7A 650V DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
DSG014N04N TO-220CPaquete DSG014N04N TO-220C 40V 200A DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
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