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MOSFET de potencia DTG025N04NA TO-220C del modo de mejora del canal N de 220A 40V DTG025N04NA A-220C 40V 220A Dispositivo DTE025N04NA y DTG025N04NA Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 30V DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
 MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60V 12A Dispositivo DH500P06R Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 205A 85V DHS025N88 TO-263 DHS025N88E A-263 85V 205A Especificación del dispositivo DHS025N88.pdf
4N60/F4N60/B4N60/D4N60
23N50D
MOSFET D2N65 TO-252B de potencia del modo de mejora del canal N de 2A 650V D2N65 TO-252B 650V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 30A 60V BAJA VF MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS A-220C 60V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
Transistor bipolar G50T65LBBW TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 50A 650V G50T65LBBW A-247 650V 50A G50T65LBBW__hoja de datos(1)(1).pdf
F20N50/20N50B
MOSFET de potencia SIC de canal N de 36A 1200V DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200V 36A Especificación del dispositivo DCC080M120A.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 40V DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Dispositivo DHS020N04P Especificación Rev.2.0.pdf
Transistor bipolar DGC75F120M2 TO-247PLUS de puerta aislada Trenchstop de 75A 1200V DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200V 75A DGC75F120M2__hoja de datos-V1.2.pdf
MOSFET de potencia D12N06 TO-252 del modo de mejora del canal N de 12A 60V D12N06 TO-252B 60V 12A Especificación del dispositivo D12N06 (TO-252B).pdf
Paquete de TOLL MOSFET DHS020N88U de potencia de modo de mejora de canal N de 240A y 85V DHS020N88U PEAJE 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 175A 80V DHS035N88 TO-220C DHS035N88 A-220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia AOD413 TO-252B del modo de mejora del canal P de 15A 40V AOD413 TO-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia F4N70 TO-220F del modo de mejora del canal N de 4A 700V F4N70 TO-220F 700V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
MOSFET de potencia F7N60 del modo de mejora del canal N de 7A 600V F7N60 TO-220F 600V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
8N65/F8N65

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