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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 85V DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85V 80A Especificación del dispositivo DHS065N85P.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Especificación del dispositivo DHS052N10.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Especificación del dispositivo DHS052N10.pdf
MOSFET de potencia 20N50B TO-247 del modo de mejora del canal N de 20A 500V 20N50B A-247 500V 20A Especificación del dispositivo 20N50(1).pdf
Diodo de barrera Schottky 10A 200V MBRE10200CT TO-263 MBRE10200CT A-263 200V 10A 英文版MBRE10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
MOSFET de potencia súper unión de canal N de 10.6A 700V DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700V 10.6A Dispositivo DJD420N70T Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia de unión estupenda de canal N de 7.6A 650V DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7.6A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200V 18A Especificación del dispositivo 640.pdf
150V/7.5mΩ/115A N-MOSFET TO-220C DSG092N15N3A A-220C 150V 115A
30V/2.2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L A-220C 30V 150A Donghai_DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
SchottkyBarreraDiodo 10A 200V MBR10200CT TO-220M MBR10200CT A-220M 200V 10A 英文版MBR10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 A-220C 85V 100A Especificación del dispositivo DHS065N85.pdf
MOSFET de potencia súper unión de canal N de 10.6A 700V DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10.6A Dispositivo DJF420N70T Especificación Rev.1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky 10A 100V MBR10100CT TO-252B MBR10100CT TO-252B 100V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 A-220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky MBR20R150CT TO-220C de 20 A, 150 V, VF bajo MBR20R150CT A-220C 150V 20A 英文版MBR20R150CT技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 30A 45V MBR3045CT TO-3P MBR3045CT A-3PN 45V 30A
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 200A 30V DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Especificación del dispositivo DH020N03(B39).pdf
Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P

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