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Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
MOSFET de potencia F4N60 TO-220F del modo de mejora del canal N de 4A 600V F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 12 A y 700 V DJF360N70
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 180 A y 68 V DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
Diodo de recuperación rápida 60A 200V MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60A 英文版MUR6020BCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 40V DH045N04 TO-220C DH045N04 A-220C 40V 90A Especificación del dispositivo DH045N04.pdf
Módulo IGBT de medio puente 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 40V DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Especificación del dispositivo DH045N04.pdf
MOSFET DATD063N06N TO-252B del poder del modo del aumento del canal N de 80A 60V DATD063N06N TO-252B 60V 80A Dispositivo+DATD063N06N+Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 4.8A 650V DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4.8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7815 TO-220M L7815 A-220M 15V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 1200V SiC DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 A-247 1200V 20A Especificación del dispositivo DCC20D120G4.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolar DGC75F65M TO-247-3L de puerta aislada Trenchstop de 75A 650V DGC75F65M TO-247-3L 650V 75A DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf
Paquete de peaje N-MOSFET DSU035N14N3 de 135 V/3,3 mΩ/225 A DSU035N14N3 PEAJE 135V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 40A 200V MUR4020NCT TO-3PN MUR4020NCT A-3PN 200V 40A 英文版MUR4020NCT-XCB技术规格书Rev. 1.0.pdf
Transistor bipolar de puerta aislada 25A 1200V G25T120D TO-247 G25T120D A-247 1200V 25A DHG25T120D英文技术规格书（TO-247).pdf
MOSFET de potencia 12N65 TO-220C del modo de mejora del canal N de 12A 650V 12N65 A-220C 650V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7818 TO-220M L7818 A-220M 18V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 10A 650V DCE10D65G4 A-263 650V 10A Especificación del dispositivo DCE10D65G4.pdf

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