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江蘇東海半導体有限公司
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12A 100V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET B12N10/D12N10
MUR80FU40NCA TO-3PN MUR80FU40NCA
200A 40V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET D1404/FD1404/ED1404
90A 40V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40V 90A デバイス DH045N04 仕様.pdf
40V/4.0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40V 66A DSP060N04LA_データシート_V1.0.pdf
40V/0.85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 パッケージ DSE012N04NA TO-263 40V 200A DSE012N04NA_データシート_V1.0.pdf
60A 300V ファストリカバリダイオード MUR6030BCA TO-247S MUR6030BCA TO-247S 300V 60A 和訳版 MUR6030BCA 技術术规格书REV1.1.pdf
59A 100V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100V 59A デバイス 60N10B76 仕様(1).pdf
270A 120V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHS044N12Uトールパッケージ DHS044N12U 通行料金 120V 270A DHS044N12U_データシート_V2.0.pdf
80A 60V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60V 80A デバイス+DATD063N06N+仕様 Rev.1.0.pdf
 DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100V 103A DSE065N10L3A_データシート_V1.0.pdf
100V/2.2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100V 180A DSE026N10N3A_データシート_V1.0.pdf
800A 1200V ハーフブリッジモジュール IGBTModule DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62MM 1200V 800A DGB800H120L2T.pdf
40V/5.5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82A DSD065N04LA_データシート_V1.0.pdf
7A 650V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A 和訳版 DHD7N65 技術术规格书REV1.1.pdf
DSG014N04N TO-220Cパッケージ DSG014N04N TO-220C 40V 200A DSG014N04N_データシート_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100V 40A 和訳版MBRF40100CT技術术规格书REV1.0(1).pdf
 DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100V 100A DSG070N10L3_データシート_V1.0+.pdf
DSG019N04L TO-220C パッケージ DSG019N04L TO-220C 40V 180A DSG019N04L_データシート_V1.0.pdf
 SiC ショットキーバリアダイオード 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A デバイス DCE10D65G4 仕様.pdf

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