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SiC ショットキーバリアダイオード 10A 650V DCE10D65G4 TO-263

SiC ショットキー バリア ダイオード 10A 650V
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お問い合わせ f2843bacf2b642a0=240A 85V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHS020N88U TOLLパッケージ

  • DCE10D65G4

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  • DCE10D65G4

  • TO-263

  • デバイス DCE10D65G4 仕様.pdf

  • 650V

  • 10A

SiC ショットキーバリアダイオード 10A 650V


1 説明 

SiC シリーズ製品ファミリーは、最先端のパフォーマンスを提供します。高効率と高信頼性が要求される高周波アプリケーション向けに設計されています。 


2 特徴 

⚫高電圧 

⚫ 逆回復電流ゼロ 

⚫ ゼロ順方向回復電圧 

⚫ VF の正の温度係数 

⚫ 動作ジャンクション温度 175°C 


3 アプリケーション

⚫ スイッチングモード電源 

⚫ 力率改善 

⚫ モータードライブ、パワーコンディショナー、風力発電所


VBRM 品質管理  IF（TC≦135℃）
650V 25nC 19A


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