SiC діод з бар'єром Шотткі 10A 650V DCE10D65G4 TO-263

SiC бар'єрний діод Шотткі 10A 650V

1 Опис 

Сімейство продуктів серії SiC пропонує сучасні характеристики. Він розроблений для високочастотних застосувань, де потрібна висока ефективність і висока надійність. 

2 Особливості 

⚫ висока напруга 

⚫ Нульовий зворотний струм відновлення 

⚫ Нульова напруга прямого відновлення 

⚫ Позитивний температурний коефіцієнт на VF 

⚫ 175°C Робоча температура спаю 

3 Додатки

⚫ Імпульсні джерела живлення 

⚫ Корекція коефіцієнта потужності 

⚫ Моторний привід, фотоелектричний інвертор, вітрова електростанція

VBRM	QC	IF（TC≤135℃）
650В	25 нС	19A