kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » SIC » 650V-1700V SIC DIÓDA » SiC Schottky sorompódióda 10A 650V DCE10D65G4 TO-263

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

SiC Schottky sorompódióda 10A 650V DCE10D65G4 TO-263

SiC Schottky Barrier Dióda 10A 650V
Elérhetőség:
Mennyiség:

SiC Schottky Barrier Dióda 10A 650V


1 Leírás 

A SiC sorozat termékcsaládja a legkorszerűbb teljesítményt kínálja. Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyságra és nagy megbízhatóságra van szükség. 


2 Jellemzők 

⚫ magas feszültség 

⚫ Nulla fordított helyreállítási áram 

⚫ Nulla előremenő helyreállítási feszültség 

⚫ Pozitív hőmérsékleti együttható a VF-en 

⚫ 175°C üzemi csomóponti hőmérséklet 


3 Alkalmazások

⚫ Kapcsolóüzemű tápegységek 

⚫ Teljesítménytényező korrekció 

⚫ Motorhajtás, PV inverter, szélerőmű


VBRM QC  IF (TC≤135℃)
650V 25nC 19A


Előző: 
Következő: 
SBD
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket