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MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 12 A 100 V B12N10/D12N10
MUR80FU40NCA TO-3PN MUR80FU40NCA
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 200 A 40 V D1404/FD1404/ED1404
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 90A 40V DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40V 90A Spécification de l'appareil DH045N04.pdf
40 V/4,0 mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40V 66A DSP060N04LA_Fiche technique_V1.0.pdf
BOÎTIER N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 40V/0,85mΩ/200A DSE012N04NA TO-263 40V 200A DSE012N04NA_Fiche technique_V1.0.pdf
Diode de récupération rapide 60A 300V MUR6030BCA TO-247S MUR6030BCA TO-247S 300V 60A Voir MUR6030BCA dans REV1.1.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 59A 100V 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100V 59A Spécification de l'appareil 60N10B76 (1).pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N, 270 A, 120 V, DHS044N12U, paquet péage DHS044N12U SONNER 120V 270A DHS044N12U_Fiche technique_V2.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 80A 60V DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60V 80A Appareil+DATD063N06N+Spécification Rev.1.0.pdf
DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100V 103A DSE065N10L3A_Fiche technique_V1.0.pdf
100 V/2,2 mΩ/180 A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100V 180A DSE026N10N3A_Fiche technique_V1.0.pdf
Module demi-pont 800A 1200V IGBTModule DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62MM 1200V 800A DGB800H120L2T.pdf
40 V/5,5 mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82A DSD065N04LA_Fiche technique_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 7A 650V DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A Fichier DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
DSG014N04N TO-220CPackage DSG014N04N TO-220C 40V 200A DSG014N04N_Fiche technique_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100V 40A Description du produit MBRF40100CT技术规格书REV1.0(1).pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100V 100A DSG070N10L3_Fiche technique_V1.0+.pdf
Paquet DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40V 180A DSG019N04L_Fiche technique_V1.0.pdf
Diode barrière SiC Schottky 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Spécifications de l'appareil DCE10D65G4.pdf

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