Diode barrière Schottky SiC 20A 1200V DCC20D120G4 TO-247-3

Diode barrière Schottky SiC 20A 1200V

1 Descriptif 

La famille de produits de la série SiC offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis. 

2 Caractéristiques 

⚫ haute tension 

⚫ Courant de récupération inverse nul 

⚫ Tension de récupération zéro

⚫ Coefficient de température positif sur VF

⚫ Température de jonction de fonctionnement de 175 °C 

3 candidatures 

⚫ Alimentations à découpage 

⚫ Correction du facteur de puissance 

⚫ Entraînement moteur, onduleur photovoltaïque, centrale éolienne

VBRM	QC	SI (TC≤135℃)
1200V	50nC	26A