未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукты
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

Все продукты

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
Schottkybarrierdiode 10A 200V MBR10200CT до-220M MBR10200CT До 220м 200 В 10а 英文版 MBR10200CT 技术规格书 Rev-1.1.pdf
30A 60V SchottkybarrierDiode MBR3060CT до-220M MBR3060CT До 220м 60 В 30A 英文版 MBR3060CT 技术规格书 Rev1.1 (1) .pdf
10A 100V SchottkybarrierDiode MBR10100CT to-252b MBR10100CT До 252b 100 В 10а 英文版 MBR10100CT 技术规格书 .pdf
30A 45V Low VF Schottkybarrierdiode MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS До-220c 45 В. 30A 英文版 MBR30R45CTS Series 技术规格书 .pdf
20A 150V Low VF SchottkybarrierDiode MBR20R150CT to-220C MBR20R150CT До-220c 150 В. 20А 英文版 MBR20R150CT 技术规格书 .pdf
10a 200v Schottkybarrierdiode MBRF10R200CT До-220f 200 В 10а 英文版 MBRF10R200CT 技术规格书 .pdf
40A 150V SchottkybarrierDiode MBR40150CT TO-263 MBR40150CT До 263 150 В. 40a 英文版 MBR40150CT 技术规格书 .pdf
4A 700V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 До-220f 700 В. 4а 英文版 f4n70 技术规格书 (1) .pdf
7A 600V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F7N60 F7N60 До-220f 600 В. 7A 英文版 f7n60 技术规格书 .pdf
7A 800V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 До-220f 800 В. 7A 英文版 f7n80 技术规格书 .pdf
10A 150V SchottkybarrierDiode MBR10150CT до-220M MBR10150CT До 220м 150 В. 10а MBR10150CT 技术规格书 .pdf
4A 650V N-канальный режим режима мощности MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 До-220f 650 В. 4а 英文版 f4n65 技术规格书 maxRev1.0.pdf
10A 800V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 До-220f 800 В. 10а 英文版 f10n80 技术规格书 .pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 До-220f 500 В. 13а 英文版 F13N50 技术规格书 R1.1.pdf
12A 600V N-канальный режим режима Power MOSFET F12N60 до 220F F12N60 До-220f 600 В. 12A 英文版 F12N60 技术规格书 Rev1.0 (1) .pdf
23A 500 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET 23N50D TO-3P 23n50d До 3pn 500 В. 23а 英文版 23n50d 技术规格书 .pdf
8A 500V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F8N50 TO-220F F8N50 До-220f 500 В. 8а F8n50_datesheet_v1.0.pdf
10A 600V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F10N60 TO-220F F10N60 До-220f 600 В. 10а 英文版 f10n60 技术规格书 .pdf
20 МОм 650 В n-канал SIC Power MOSFET DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 До 247 650 В. 92а DCC020M65G2 & DCCF020M65G2_DATASHEET_V1.0.PDF
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 10A 650V 10N65 TO-220C 10n65 До-220c 650 В. 10а 英文版 10n65 技术规格书 .pdf

Продукт видео

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com