ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » МОСФЕТ » 12 В-300В N MOS » 180A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

180A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET

В этом N-канальном режиме режима режима мощных силовых средств использовались расширенные конструкции технологии Splite Gate, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.
Доступность:
количество:
  • DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E

  • WXDH

180A 85V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET


1 Описание

В этом N-канальном режиме режима режима мощных силовых средств использовались расширенные конструкции технологии Splite Gate, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS. 


2 функции 

● Быстрое переключение

● Низкое сопротивление 

● Зарядки с низким затвором 

● Высокий лавинный ток

● Низкие емкости обратного переноса

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной

● Тест 100% ΔVDS 


3 приложения

● Приложения переключения питания

● Система управления инвертором

● Электроинструменты 

● Автомобильная электроника

VDSS RDS (ON) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР
68 В 2,6 МОм 180a


Предыдущий: 
Следующий: 
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик