180A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

180A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն

Այս N-ալիքի բարելավման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետները օգտագործում էին առաջադեմ Splite gate տեխնոլոգիայի դիզայն, ապահովում էին գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ 

● Արագ միացում

● Ցածր դիմադրություն 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում 

● Ձնահոսքի բարձր հոսանք

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ

● Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ

● Inverter կառավարման համակարգ

● Էլեկտրական գործիքներ 

● Ավտոմոբիլային էլեկտրոնիկա

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
68 Վ	2,6 mΩ	180 Ա