πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » MOSFET » 12V-300V N MOS » 180A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

180A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας Splite gate, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:
  • DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E

  • WXDH

MOSFET τροφοδοσίας 180A 85V N-channel Enhancement Mode Power


1 Περιγραφή

Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας Splite gate, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 


2 Χαρακτηριστικά 

● Γρήγορη εναλλαγή

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή χρέωση πύλης 

● Υψηλό ρεύμα χιονοστιβάδας

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 


3 Εφαρμογές

● Εφαρμογές μεταγωγής ισχύος

● Σύστημα διαχείρισης inverter

● Ηλεκτρικά εργαλεία 

● Ηλεκτρονικά αυτοκινήτων

VDSS RDS(ενεργό)(TYP) ταυτότητα
68V 2,6 mΩ 180Α


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας