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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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180A 68V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET

Estos MOSFET de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de compuerta de espíritu, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
Disponibilidad:
Cantidad:
  • DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E

  • Wxdh

180A 85V MODANCO DE MEDIA DE MEJORA DEL CANNO MOSFET


1 descripción

Estos MOSFET de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de compuerta de espíritu, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Cambio rápido

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Corriente de alta avalancha

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones

● Aplicaciones de conmutación de encendido

● Sistema de gestión de inversores

● Herramientas eléctricas 

● Electrónica automotriz

VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
68V 2.6mΩ 180A


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