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180A 68V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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  • DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E

  • Wxdh

180a 85 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen

● Stromschaltanwendungen

● Inverter -Management -System

● Elektrowerkzeuge 

● Automobilelektronik

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
68 V 2,6 mΩ 180a


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