MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 180A 68V

MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 180A 85V

1 Descrição

Esses mosfets de potência no modo de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia Splite gate, proporcionando excelente Rdson e baixa carga de portão. O que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 recursos 

● Troca rápida

● Baixa resistência 

● Taxa de portão baixa 

● Alta corrente de avalanche

● Baixas capacitâncias de transferência reversa

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%

● Teste ΔVDS 100% 

3 aplicações

● Aplicações de comutação de energia

● Sistema de gerenciamento do inversor

● Ferramentas elétricas 

● Eletrônica automotiva

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
68 V	2,6mΩ	180A