Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
ДХП50П04 DFN5X6 ДХП50П04 DFN5X6 -40В -50А Спецификация устройства DHP50P04(DFN56)(1).pdf
Барьер ШотткиДиод MBR60100BCT TO-247 МБР60100BCT ТО-247 100 В 60А 英文版MBR60100BCT 技术规格书.pdf
Д92-02Б ТО-3ПН Д92-02Б ТО-3ПН 200В 10А 英文版D92-02B 技术规格书3PN.pdf
170 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSE028N10N3 TO-263 ДСЕ028Н10Н3 ТО-263 100 В 170А DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20 А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F20N50 Ф20Н50 ТО-220Ф 500В 20А 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
75А 650В Полумостовой модуль IGBT-модуль DGA75H65M2T 34 мм ДГА75Х65М2Т 34 мм 650В 75А ДГА75Х65М2Т.pdf
Диод быстрого восстановления 60А 200В MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT ТО-3ПН 200В 60А 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH033N04 TO-220C ДХ033N04 ТО-220С 40В 120А Спецификация устройства DH033N04.pdf
160 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH020N03P 5x6-8 ДХ020Н03П DFN5X6 30В 160А Спецификация устройства DH020N03P.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор с суперпереходом, 21 А, 650 В DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W ТО-247 650В 21А DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
180 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS021N04 TO-220C DHS021N04 ТО-220С 40В 180А Дунхай+DHS021N04&DHS021N04E+Информация+V3.0.pdf
Полумостовой модуль 50 А, 650 В Модуль IGBT DGA50H65M2T 34 мм ДГА50Х65М2Т 34 мм 650В 50А ДГА50Х65М2Т.pdf
90 А, 150 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS110N15 TO-220C ДХС110Н15 ТО-220С 150 В 90А Спецификация устройства DHS110N15, версия 1.0.pdf
15А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH850N10B TO-251B ДХ850Н10Б ТО-251Б 100 В 15А Спецификация устройства DH850N10.pdf
100 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH066N06 TO-220C ДХ066Н06 ТО-220С 60В 100А DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18А, 100 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH100P18B TO-251B ДХ100П18Б ТО-251Б 100 В 18А Спецификация устройства DH100P18 B79.pdf
47А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор TO-220C ДХС180Н10Л ТО-220С 100 В 47А Спецификация устройства DHS180N10L.pdf
Полумостовой модуль 150А 1200В DGB150H120L2T 62 мм ДГБ150Х120Л2Т 62 мм 1200В 150А ДГБ150Х120Л2Т(1).pdf
Полумостовой модуль 250 А, 1200 В IGBTModule DGB250H120L2T 62 мм ДГБ250Х120Л2Т 62 мм 1200В 250А DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 145 А, 60 В DH045N06D TO-252B ДХ045N06 ТО-220С 60В 145А Спецификация устройства DH045N06.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com