未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукты
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

Все продукты

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
10A 700V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 До-220f 700 В. 10а 英文版 f10n70 技术规格书 rev1.0.pdf
13A 500V N-канальный режим режима мощности. MOSFET 13N50 до-220C 13n50 До-220c 500 В. 13а 英文版 13n50 技术规格书 .pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B D8N50 До 252b 500 В. 8а 英文版 D8N50 技术规格书 Rev1.1.pdf
41A 650V N-канал SIC Power MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 До 247 650 В. 41а DCC060M65G2 & DCCF060M65G2_DATASHEET_V1.0.PDF
5A 1200V SIC Schottky Diode DCD05D120G3
14A 650V N-канальный режим режима Power MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 До-220f 650 В. 14а 英文版 f14n65 技术规格书 ay3.pdf
12A 650V N-канальный режим режима Power Mosfet F12N65 F12N65 До-220f 650 В. 12A 英文版 f12n65 技术规格书 rev1.0.pdf
25A 650V SIC Schottky Барьер диод DCET20D65G3 до 263-2 DCET20D65G3
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 10A 600V 10N60 10n60
5A 500 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET 5N50 5N50
120A 1200V N-канальный SIC Power MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 До 247 1200 В. 120a DCC016M120G2 & DCCF016M120G2_DATASHEET_V1.0.PDF
25A 1700V Sic Schottky Diode DCCT25D170G1 До-247-2L 1700В 25а Устройство DCCT25D170G1 Specification.pdf
20A 60 В низкий VF Шоткс Барьер диод HMBRD20R60 до 252B HMBRD20R60 До 252b 60 В 20А 英文版 Hmbrd20R60 技术规格书 до 252b-rev-1.1.pdf
180a 60 В n-канальный режим улучшения мощности Mosfet DHS015N06 до-220c DHS015N06 До-220c 60 В 180a Donghai+DHS015N06 & DHS015N06E+DataSheet+Rev.1.0.pdf
4A 600V N-канальный режим режима Power Mosfet B4N60 B4N60 До 251b 600 В. 4а 英文版 B4n60 技术规格书 .pdf
2A 650V N-канальный режим улучшения мощности Mosfet B2N65 B2N65 До 251b 650 В. 2A 英文版 B2n65 技术规格书 .pdf
N-канальный режим режима мощности Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 До 263 500 В. 13а 英文版 e13n50 技术规格书 .pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 5A 650V D5N65-XAD до 252B D5N65-XAD До 252b 650 В. 5A 英文版 d5n65-xad 技术规格书 .pdf
7A 700V N-канальный режим режима Power Mosfet D7N70 до 252B D7N70 До 252b 700 В. 7A 英文版 D7N70 技术规格书 .pdf
5A 650V N-канальный режим режима Power Mosfet B5N65 до 251B B5N65 До 251b 650 В. 5A 英文版 B5n65 技术规格书 max.pdf

Продукт видео

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com