未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Trójzaciskowy regulator napięcia IC L7824 TO-220M L7824 TO-220M 24 V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
68A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 100V Schottky'egoDioda barierowa MBR20100CT TO-220M MBR20100CT TO-220M 100 V 20A Plik źródłowy MBR20100CT 技术规格书.pdf
MOSFET mocy w trybie N, 60 A, 20 V DH048N02B/DH048N02D
170A 100 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
20A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
75A 650V Moduł półmostkowy Moduł IGBT DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34mm 650 V 75A DGA75H65M2T.pdf
Dioda szybkiego odzysk MUR6020NCT TO-3PN 200 V 60A Przeczytaj MUR6020NCT 技术规格书REV1.0.pdf
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Specyfikacja urządzenia DH033N04.pdf
160A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30 V 160A Specyfikacja urządzenia DH020N03P.pdf
21A 650V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V 21A Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
180A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+karta katalogowa+V3.0.pdf
50A 650V Moduł półmostkowy Moduł IGBT DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34mm 650 V 50A DGA50H65M2T.pdf
90A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150 V 90A Specyfikacja urządzenia DHS110N15 Rev.1.0.pdf
15A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Specyfikacja urządzenia DH850N10.pdf
25A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Specyfikacja urządzenia DH100P25.pdf
100A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Urządzenie DH100P18 B79 Specyfikacja.pdf
47A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100 V 47A Specyfikacja urządzenia DHS180N10L.pdf
150A 1200V Moduł półmostkowy DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62mm 1200 V 150A DGB150H120L2T(1).pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com