未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Wszystkie produkty

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
10A 700 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 Do-220f 700 V. 10a 英文版 F10N70 技术规格书 Rev1.0.pdf
13A 500 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET 13N50 TO-220C 13n50 To-220C 500 V. 13a 英文版 13n50 技术规格书 .pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B D8N50 TO-252B 500 V. 8a 英文版 D8N50 技术规格书 Rev1.1.pdf
41A 650V N-Kanałowa Power MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650 V. 41a DCC060M65G2 i DCCF060M65G2_DATASHEET_V1.0.PDF
Dioda barierowa 5A 1200V SIC Schottky DCD05D120G3
14A 650 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 Do-220f 650 V. 14a 英文版 F14N65 技术规格书 AY3.pdf
12A 650 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET F12N65 F12N65 Do-220f 650 V. 12a 英文版 F12N65 技术规格书 Rev1.0.pdf
25A 650V SIC Schottky Dioda DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 10A 600V 10N60 10n60
5A 500 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET 5N50 5n50
120A 1200V N-kanałowa moc SIC MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 TO-247 1200 V. 120a DCC016M120G2 i DCCF016M120G2_DATASHEET_V1.0.PDF
Dioda barierowa 25A 1700V Sic Schottky DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700 V. 25a Urządzenie DCCT25D170G1 Specyfikacja.pdf
20A 60V Niski VF Dioda barierowa Schottky HMBRD20R60 TO-252B HMBRD20R60 TO-252B 60 V. 20a 英文版 HMBRD20R60 技术规格书 TO-252B-Rev-1.1.pdf
180A 60V NEC CANLANEM MOC MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 To-220C 60 V. 180a Donghai+DHS015N06 i DHS015N06E+Arkusz danych+Rev.1.0.pdf
4A 600 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4a 英文版 B4N60 技术规格书 .pdf
MOSFET B2N65 2A 650 V B2N65 TO-251B 650 V. 2a 英文版 B2N65 技术规格书 .pdf
Noc MOSFET 13A 500V E13N50 do 263 E13N50 To-263 500 V. 13a 英文版 E13N50 技术规格书 .pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650 V. 5a 英文版 D5N65-XAD 技术规格书 .pdf
7A 700 V Tryb wzmacniający N MOSFET MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700 V. 7a 英文版 D7N70 技术规格书 .pdf
5A 650 V Tryb wzmacniający N MOSFET MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650 V. 5a 英文版 B5N65 技术规格书 Max.pdf

Wideo produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com