未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
Třísvorkový regulátor napětí IC L7824 TO-220M L7824 TO-220M 24V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
68A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-220M MBR20100CT TO-220M 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
60A 20V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET DH048N02B/DH048N02D
170A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
75A 650V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34 mm 650V 75A DGA75H65M2T.pdf
Rychlá obnovovací dioda 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40V 120A Specifikace zařízení DH033N04.pdf
160A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Specifikace zařízení DH020N03P.pdf
21A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650V 21A Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
180A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
50A 650V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 mm 650V 50A DGA50H65M2T.pdf
90A 150V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150V 90A Specifikace zařízení DHS110N15 Rev.1.0.pdf
15A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Specifikace zařízení DH850N10.pdf
25A 100V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Specifikace zařízení DH100P25.pdf
100A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Zařízení DH100P18 B79 Specifikace.pdf
47A 100V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100V 47A Specifikace zařízení DHS180N10L.pdf
150A 1200V Modul polovičního můstku DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com