未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Specifikace zařízení DHP50P04(DFN56)(1).pdf
SchottkyBarrierDiode MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT TO-247 100V 60A 英文版MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200V 10A 英文版D92-02B技术规格书3PN.pdf
170A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
75A 650V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34 mm 650V 75A DGA75H65M2T.pdf
Rychlá obnovovací dioda 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40V 120A Specifikace zařízení DH033N04.pdf
160A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Specifikace zařízení DH020N03P.pdf
21A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
180A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
50A 650V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 mm 650V 50A DGA50H65M2T.pdf
90A 150V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150V 90A Specifikace zařízení DHS110N15 Rev.1.0.pdf
15A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Specifikace zařízení DH850N10.pdf
100A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Zařízení DH100P18 B79 Specifikace.pdf
47A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100V 47A Specifikace zařízení DHS180N10L.pdf
150A 1200V Modul polovičního můstku DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
250A 1200V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62 mm 1200V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145A Specifikace zařízení DH045N06.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com