未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nalazite se ovdje: Dom » Proizvodi
Model:
Paket:
V:
A:
ODABRANE LINIJE PROIZVODA:

Svi proizvodi

Slika Model Paket V A Datasheet Detalji Upit Dodaj u košaricu
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Specifikacija uređaja DHP50P04(DFN56)(1).pdf
Dioda Schottky Barrier MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT TO-247 100V 60A 英文版MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200V 10A 英文版D92-02B技术规格书3PN.pdf
170A 100V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Podatkovna tablica_V1.0.pdf
20A 500V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
75A 650V polumostni modul IGBT modul DGA75H65M2T 34 mm DGA75H65M2T 34 mm 650V 75A DGA75H65M2T.pdf
Dioda za brzi oporavak 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
120A 40V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40V 120A Uređaj DH033N04 Specifikacija.pdf
160A 30V N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Specifikacija uređaja DH020N03P.pdf
21A 650V N-kanalni Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650V 21A DHSJ21N65W_Datumski list_V1.0.pdf
180A 40V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Podatkovna tablica+V3.0.pdf
50A 650V polumostni modul IGBT modul DGA50H65M2T 34 mm DGA50H65M2T 34 mm 650V 50A DGA50H65M2T.pdf
90A 150V N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150V 90A Uređaj DHS110N15 Specifikacija Rev.1.0.pdf
15A 100V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Uređaj DH850N10 Specifikacija.pdf
100A 60V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100A DH066N06D_Podatkovna tablica_V2.0.pdf
18A 100V P-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Uređaj DH100P18 B79 Specifikacija.pdf
47A 100V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100V 47A Specifikacija uređaja DHS180N10L.pdf
150A 1200V polumosni modul DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
250A 1200V polumosni modul IGBTModul DGB250H120L2T 62 mm DGB250H120L2T 62 mm 1200V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145A Uređaj DH045N06 Specifikacija.pdf

Video o proizvodu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš newsletter
  • pripremite se za budućnost,
    prijavite se za naš bilten kako biste primali ažuriranja izravno u svoju pristiglu poštu
    Pošalji
Autorsko pravo © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com