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MOSFET F7N80 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 7A 800V F7N80 TO-220F 800V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
MOSFET F4N65 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 4A 650V F4N65 TO-220F 650V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N, 120A, 1200V, DCC016M120G2/DCCF016M120G2 DCC016M120G2 A-247 1200V 120A Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 25 A y 1700 V DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Especificación del dispositivo DCCT25D170G1.pdf
Diodo de barrera Schottky 40A 200V MBR40200CT TO-3PN MBR40200CT A-3PN 200V 40A 英文版MBR40200CT技术规格书3PN.pdf
F8N70
Diodo de recuperación rápida 30A 600V MUR3060 TO-220-2L MUR3060 TO-220C-2L 600V 30A 英文版 MUR3060 技术规格书.pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 300V MUR80FU30DCT TO-3PN MUR80FU30DCT A-3PN 300V 80A 英文版MUR80FU30DCT技术规格书.pdf
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100V/1.5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N A-247 100V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolar DGC40H120M2 TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 40A 1200V DGC40H120M2 A-247 1200V 40A DGC40H120M2 - hoja de datos.pdf
100V/2.9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A PEAJE DSU035N10N3A PEAJE 100V 190A Donghai_DSU035N10N3A_Dafd5=TO-247PLUS
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DGF25F65M
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 68V DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68V 100A Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700V 10A 英文版D10N70技术规格书REV1.0.pdf
12N65/F12N65
DHD10N65
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