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Diodo de barrera Schottky MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT A-247 100V 60A 英文版MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B A-3PN 200V 10A 英文版D92-02B技术规格书3PN.pdf
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Módulo de medio puente 75A 650V módulo IGBT DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34mm 650V 75A DGA75H65M2T.pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT A-3PN 200V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 40V DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40V 120A Especificación del dispositivo DH033N04.pdf
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MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 21A 650V DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W A-247 650V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 40V DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Hoja de datos+V3.0.pdf
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