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Modo de mejora del canal 10a 700V de potencia MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 A 220F 700V 10A 英文版 F10N70 技术规格书 Rev1.0.pdf
13A 500V Modo de mejora del canal MOSFET 13N50 TO-220C 13N50 A 220c 500V 13A 英文版 13N50 技术规格书 .pdf
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B D8N50 A 252b 500V 8A 英文版 D8N50 技术规格书 Rev1.1.pdf
41A 650V N-canal SIC MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 To-247 650V 41a Dcc060m65g2 y dccf060m65g2_dataSheet_v1.0.pdf
5A 1200V SIC Schottky Barrera Diodo DCD05D120G3
14A 650V Modo de mejora del canal MOSFET F14N65 TO-220F F14n65 A 220F 650V 14A 英文版 f14n65 技术规格书 ay3.pdf
12A 650V Modo de mejora del canal MOSFET F12N65 F12N65 A 220F 650V 12A 英文版 F12N65 技术规格书 Rev1.0.pdf
25A 650V SIC Schottky Barrera Diodo DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 10A 600V 10N60 10n60
5A 500V Modo de mejora del canal MOSFET 5N50 5N50
120A 1200V N-canal SIC MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 To-247 1200V 120a DCC016M120G2 y DCCF016M120G2_DATASHEETE_V1.0.PDF
25A 1700V SIC Schottky Barrera Diodo DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Dispositivo DCCT25D170G1 Especificación.PDF
20a 60V bajo VF Schottky Barrera Diodo HMBRD20R60 TO-252B HMBRD20R60 A 252b 60V 20A 英文版 HMBRD20R60 技术规格书 TO-252B-REV-1.1.PDF
180A 60V Modo de mejora del canal MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 A 220c 60V 180A Donghai+DHS015N06 y DHS015N06E+Hoja de datos+Rev.1.0.pdf
4A 600V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET B4N60 B4N60 A 251b 600V 4A 英文版 b4n60 技术规格书 .pdf
2A 650V Modo de mejora del canal MOSFET B2N65 B2N65 A 251b 650V 2a 英文版 b2n65 技术规格书 .pdf
Modo de mejora del canal N Potencia MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 A 263 500V 13A 英文版 E13N50 技术规格书 .pdf
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5n65-xad A 252b 650V 5A 英文版 d5n65-xad 技术规格书 .pdf
7a 700V Modo de mejora del canal MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 A 252b 700V 7A 英文版 D7N70 技术规格书 .pdf
5A 650V Modo de mejora del canal MOSFET B5N65 a 251B B5N65 A 251b 650V 5A 英文版 b5n65 技术规格书 max.pdf

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