puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

Todos los productos

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
50A 1200V PIM en módulo IGBT de un solo paquete DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200V 50A DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 60 A y 20 V DH048N02B/DH048N02D
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 21 A y 100 V DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
MOSFET de potencia D25N10 TO-252B del modo de mejora del canal N de 25A 100V D25N10 TO-252B 100V 25A Especificación del dispositivo 25N10.pdf
Rectificador controlado por silicio serie 600V /800V 12A BT151 TO-220M BT151 A-220M 600V/800V 12A 英文版BT151-Rev. 1.2技术规格书 BT151(252).pdf
Serie TRIAC 600V/800V 8A BT137-600E TO-220M BT137-600E A-220M 600V/800V 8A 英文版BT137-600E技术规格书触发H.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 40V DHS021N04D TO-252B DHS021N04D TO-252B 40V 120A Donghai+DHS021N04D+Hoja de datos+V3.0.pdf
Serie TRIAC 600V/800V 4A BT136-600E TO-220M BT136-600E A-220M 600V/800V 4A 英文版BT136技术规格书REV1.2.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC DHD7806 TO-220M DHD7806 A-220M 6V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA A-263 200V 110A DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7808 TO-220M L7808 A-220M 8V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P de 20A 60V DH9Z24 TO-220C DH9Z24 TO-220C 60V 20A Dispositivo DH9Z24B1R Especificación Rev.1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky 20A 100V MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT TO-220F 100V 20A 英文版MBRF20100CT技术规格书REV1.0.pdf
85V/0.9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A PEAJE DSU011N08N3A PEAJE 85V 360A DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10A Especificación del dispositivo DCGT10D65G4.pdf
transistor bipolar G50T65DS TO-247S de la puerta aislada Trenchstop de 50A 650V G50T65DS TO-247S 650V 50A hoja de datos.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 25A 100V DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Especificación del dispositivo DH100P25.pdf
Diodo de barrera Schottky de 40A 650V SiC DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 A-247 650V 40A Especificación del dispositivo DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85V 180A Dispositivo+DSG041N08NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7809 TO-220M L7809 A-220M 9V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Vídeo del producto

  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada