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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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F7N70/B7N70/D7N70
F4N70/B4N70/D4N70
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 116A y 68 V DH070N06 A-220C 60V 88A Especificación del dispositivo DH070N06(2).pdf
F20N65
G50N120D
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 105A 68V DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B y DHS055N07D+Hoja de datos+V2.0 .pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 68 A y 1200 V DCC040M170G2 A-247-3 1700V 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 A-247 1700V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 238A 60V DH026N06E TO-263 DH026N06E A-263 60V 23rgía y el desarrollo sostenible se están convirtiendo en prioridades globales, la industria de la iluminación ha experimentado una revolución tecnológica. Las soluciones de iluminación tradicionales, como las lámparas incandescentes y fluorescentes, están siendo reemplazadas rápidamente por sistemas basados ​​en LED debido a su mayor eficiencia energética y su mayor vida útil. Sin embargo, el rendimiento de estos modernos sistemas de iluminación no sólo depende de los propios LED, sino también de la electrónica de potencia que hay detrás de ellos. Entre estos componentes cruciales, el módulo de diodo de barrera Schottky (SBD) de 20 A y 200 V desempeña un papel clave para mejorar la conversión de energía, reducir el desperdicio de energía y garantizar la confiabilidad del sistema. Especificación del dispositivo DH026N06.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 80A 68V DH072N07E TO-263 DH072N07E A-263 68V 80A Especificación del dispositivo DH072N07.pdf
Diodo de barrera Schottky 30A 100V TO-220F MBRF30100CT MBRF30100CT TO-220F 100V 30A 英文版MBRF30100CT技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 80A 68V DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Especificación del dispositivo DH072N07.pdf
DGC75C120M2T
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 30V DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Especificación del dispositivo DH033N03(1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 110A 85V DHS055N85E TO-263 DHS055N85E A-263 85V 110A Especificación del dispositivo DHS055N85.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 100V DHS035N10 TO-220 DHS035N10 A-220C 100V 180A Dispositivo+DHS035N10 y DHS035N10E+Especificación+Rev.1.0 (1).pdf
Módulo de medio puente 160A 650V IGBTMódulo DGA160H65M2T 34mm DGA160H65M2T 34mm 650V 160A DGA160H65M2T.pdf
Paquete de transistor de silicio epitaxial NPN MJD127 TO-252 MJD127 A-252 -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
MOSFET de SiC DCC016M120G3 TO-247 de 1200V/16mΩ/110A DCC016M120G3 A-247 1200V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 116A y 68 V DH070N07 A-220C 70V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf

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