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F7N70/B7N70/D7N70
F4N70/B4N70/D4N70
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 116A 68V DH070N06 TO-220C 60 V 88A Especificação do dispositivo DH070N06 (2).pdf
F20N65
G50N120D
105A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D PARA-252B 68 V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+Folha de dados+V2.0 .pdf
68A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCC040M170G2 PARA-247-3 1700V 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
36A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 PARA-247 1700 V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
238A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E PARA-263 60 V 238A Especificação do dispositivo DH026N06.pdf
80A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E PARA-263 68 V 80A Especificação do dispositivo DH072N07.pdf
Diodo de barreira Schottky 30A 100V TO-220F MBRF30100CT MBRF30100CT TO-220F 100 V 30A 英文版MBRF30100CT技术规格书REV1.1.pdf
80A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D PARA-252B 68 V 80A Especificação do dispositivo DH072N07.pdf
DGC75C120M2T
100A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D PARA-252B 30V 100A Especificação do dispositivo DH033N03 (1).pdf
110A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E PARA-263 85 V 110A Especificação do dispositivo DHS055N85.pdf
180A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100 V 180A Dispositivo+DHS035N10&DHS035N10E+Especificação+Rev.1.0 (1).pdf
Módulo meia ponte 160A 650V IGBTModule DGA160H65M2T 34mm DGA160H65M2T 34mm 650 V 160A DGA160H65M2T.pdf
Pacote do transistor de silicone epitaxial NPN MJD127 TO-252 MJD127 PARA-252 -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 PARA-247 1200 V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 116A 68V DH070N07 TO-220C 70V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf

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