MOSFET SiC de canal N de 1700V/40mΩ/67A
1 Descrição
Esta família de produtos oferece desempenho de última geração. Ele foi projetado para aplicações de alta frequência onde são necessárias alta eficiência e alta confiabilidade.
2 recursos
• Maior eficiência do sistema
• Requisitos de resfriamento reduzidos
• Temperatura operacional de 175°C
• Maior densidade de potência
• Aumento da frequência de comutação do sistema
3 aplicações
• Acionamentos de Motor
• Fontes de alimentação
• Conversores CC/CC de alta tensão
• Fontes de alimentação comutadas
• Aplicações de energia pulsada
| VBRM |
RDS(ligado) (TYP) |
EU IA |
| 1700V |
40mΩ |
67A |