1700V/40mΩ/67A N-csatornás SiC MOSFET
1 Leírás
Ez a termékcsalád a legkorszerűbb teljesítményt kínálja. Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyságra és nagy megbízhatóságra van szükség.
2 Jellemzők
• Magasabb rendszerhatékonyság
• Csökkentett hűtési igény
• 175 ℃ üzemi hőmérséklet
• Megnövelt teljesítménysűrűség
• Megnövelt rendszerváltási frekvencia
3 Alkalmazások
• Motor hajtások
• Tápegységek
• Nagyfeszültségű DC/DC átalakítók
• Kapcsolóüzemű tápegységek
• Impulzusos teljesítményű alkalmazások
| VBRM |
RDS(be) (TYP) |
ID |
| 1700V |
40 mΩ |
67A |