1700V/40mΩ/67A SiC MOSFET me kanal N DCC040M170G2 TO-247-3

MOSFET SiC me kanal N-1700V/40mΩ/67A 

1 Përshkrimi 

Kjo familje produktesh ofron performancë moderne. Është projektuar për aplikime me frekuencë të lartë ku kërkohet efikasitet i lartë dhe besueshmëri e lartë. 

2 Karakteristikat 

• Efikasitet më i lartë i sistemit

• Kërkesa të reduktuara për ftohje

• Temperatura e funksionimit 175℃

• Rritja e densitetit të fuqisë

• Rritja e frekuencës së ndërrimit të sistemit

3 Aplikacionet

• Ngasje motorike

• Furnizime me energji elektrike

• Konvertuesit e tensionit të lartë DC/DC

• Furnizimet me energji të modalitetit të ndërrimit

• Aplikacionet Pulsed Power

VBRM	RDS(aktiv) (TYP)	ID
1700 V	40 mΩ	67A